武汉普赛斯仪表有限公司

产品简介

高电压源测单元具有输出及测量电压高（3500V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在第一象限，输出及测量电压0~3500V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。详询一八一四零六六三四七六                

部分技术参数

最大输出功率：E300:350W，3500V/100mA（不同型号有差异）；

输出电压建立时间典型值：< 5ms；

输出接口：E100:三同轴BNC；E200、E300:KHV（三同轴）；

扫描：支持线性、对数及用户自定义扫描；

通信接口：RS232、以太网；

保护：支持急停、高压互锁保护；

触发：支持trig IN及trig out；

尺寸：19英寸2U机箱，深度：520mm(不包含挂耳及急停按钮)

应用领域：

用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。

目前，武汉普赛斯仪表有限公司的产品已经覆盖了10pA-2000A、300mV-3500V的电压电流范围，并在多个领域展现出明显优势。特别是在聚焦SiC/IGBT第三代半导体的电源及测试需求方面，我司在3500V、3000A以上量程及测试性能均处于优势地位。欲了解更多功率半导体测试电源高压程控电源信息，欢迎随时咨询普赛斯仪表！

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武汉普赛斯仪表有限公司 陶女士

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