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IGBT测试难点：
1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多个测量模块协同测试。
2、IGBT的漏电流越小越好，所以需要高精度的设备进行测试。
3、IGBT动态电流范围大，测试时需要量程范围广，且量程可以自动切换的模块进行测试。
4、由于IGBT工作在强电流下，自加热效应明显，脉冲测试可以减少自加热效应，所以MOSFET需要进行脉冲IV测试，用于评估期间的自加热特性。
5、MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容，且与其在高频应用有密切关系。所以IGBT的电容测试非常重要。
6、IGBT开关特性非常重要，需要进行双脉冲动态参数的测试。
普赛斯功率半导体测试设备igbt模块检测机特点和优势：
高电压：支持高达3.5KV高电压测试；
大电流：支持高达2KA大电流测试；
高精度：支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试；
模块化设计：内部采用模块化配置，可添加或升级测量单元；
测试效率高：可自动切换、一键测试；
温度范围广：支持常温、高温测试；
兼容多种封装：根据测试需求可定制夹具；
系统参数
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项目 |
参数 |
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集电极-发射极 |
最大电压 |
3500V |
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最大电流 |
1000A(可拓展至3000A) |
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准确度 |
±0.1% |
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大电压上升沿 |
典型值5ms |
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大电流上升沿 |
典型值15μs |
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大电流脉宽 |
50μs~500μs |
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漏电流测试量程 |
1nA~100mA |
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栅极-发射极 |
最大电压 |
300V |
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最大电流 |
1A(直流)/10A(脉冲) |
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准确度 |
±0.05% |
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最小电压分辨率 |
30μV |
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最小电流分辨率 |
10pA |
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电容测试 |
典型精度 |
±0.5% |
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频率范围 |
1KHz~2MHz |
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电容值范围 |
0.1pF~300nF |
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温控 |
范围 |
25℃~200℃ |
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准确度 |
±2℃ |
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测试项目
二极管：反向击穿电压VR、反向漏电流IR、正向电压VF、 正向电流IF、电容值Cd、I-V曲线、C-V曲线
三极管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、 增益hFE，输入特性曲线、输出特性曲线、C-V特性曲线
Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/、VGE(th)、IGSS/IGES栅极内阻Rg、输入电容Ciss/Cies、输出电容、Coss/Coes、反向传输电容Crss/Cres、跨导gfs、输出特性曲线、 转移特性曲线、C-V特性曲线
光耦(四端口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、输入电容CT、输出电容CCE、 电流传输比CTR、隔离电容CIO
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