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普赛斯HCPL100型高电流脉冲电源为脉冲恒流源，具有输出电流大（1000A）、脉冲边沿陡（15μs）、支持两路脉冲电压测量（峰值采样）、支持输出极性切换等特点。
设备可广泛应用于肖特基二极管、整流桥堆、IGBT器件、IGBT半桥模块、IPM模块等需要高电流的测试场合，使用该设备可以独立完成“电流-导通电压”扫描测试。详询一八一四零六六三四七六
50μs-500μs的脉冲宽度连续可调
15μs超快上升沿（典型时间）
两路同步测量电压0.3mV-20V
0.2%测试精度
单台5A-1000A程控输出，可多台并联蕞高达6000A
支持过流保护、异常开路保护
可快速测试IGBT或SiC的单管及半桥
可适用于大电流传感器（阶跃）响应时间测试
技术参数
电流脉宽 50μs~500μs
脉冲电流上升沿时间 典型时间15μs
输出脉冲电流 5 ～200A，准确度±0.5%±0.5A
200A～1000A，准确度0.2%±1A
输出负载电压要求<12V@1000A
DUT电压测量 2独立通道
DUT电压测量 远端测量，峰值电压测量（取样点可配置）
DUT电压测量 0.3V量程，精度0.1%±0.3mV
DUT电压测量 3V量程，精度0.1%±3mV
DUT电压测量 6V量程，精度0.1%±6mV
DUT电压测量 20V量程，精度0.1%±8mV
电流脉冲输出间隔时间0.2秒
电流脉冲峰值功率<12kW
支持多设备并联输出超大电流，如3000A
支持输出极性反转
触发信号 支持trigin及trig out
通讯接口 RS232
输入电压 90~264VAC、50/60Hz
输入功率<3000W
尺寸：长516x宽250x高160mm
应用领域
肖特基二极管
整流桥堆
IGBT器件
IGBT半桥模块
IPM模块
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武汉普赛斯一直专注于半导体的电性能测试仪表开发,基于核心算法和系统集成等技术平台优势,率先自主研发了高精度数字源表、脉冲式源表、大电流脉冲电源、CS/PXIe系列插卡式源表、功率器件测试设备、半导体参数分析仪等产品,广泛应用在半导体器件材料的分析测试领域。欲了解更多1000A高电流脉冲电源响应时间测试脉冲电流源产品信息，欢迎随时咨询普赛斯仪表！