武汉普赛斯仪表有限公司

igbt模块测试igbt静态参数测试机特点

高电压：支持高达3.5KV高电压测试；          
       大电流：支持高达2KA大电流测试；
       高精度：支持uΩ级导通电阻、纳安级漏电流测试；
       模块化设计：内部采用模块化配置，可添加或升级测量单元；
       测试效率高：可自动切换、一键测试；
       温度范围广：支持常温、高温测试；
       兼容多种封装：根据测试需求可定制夹具；

测试项目

二极管：反向击穿电压V_R、反向漏电流I_R、正向电压V_F、 正向电流I_F、电容值C_d、I-V曲线、C-V曲线

三极管：V_(BR)CEO、V_(BR)CBO、V_(BR)EBO、I_CBO、V_CE(sat)、VBE(sat)、I_C、I_B、C_eb、 增益hFE，输入特性曲线、输出特性曲线、C-V特性曲线

Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V_(BR)DSS/V_(BR)CES、I_DSS/I_CES、V_CE(sat)、R_DS(on)、V_SD/V_F、V_GS(th)/、V_GE(th)、I_GSS/I_GES栅极内阻R_g、输入电容C_iss/C_ies、输出电容、C_oss/C_oes、反向传输电容C_rss/C_res、跨导g_fs、输出特性曲线、 转移特性曲线、C-V特性曲线

光耦(四端口以下)：I_F、V_F、V_(BR)CEO、V_CE(sat)、I_CEO、I_R、输入电容C_T、输出电容C_CE、 电流传输比C_TR、隔离电容C_IO

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武汉普赛斯仪表有限公司 陶女士

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_{焦第三代半导体领域高端测试设备的国产化，武汉普赛斯仪表有限公司坚持自主创新研发，积极打造对标进口、国内领先的实验与测试平台。公司掌握多项电性能测试核心专利技术，产品电流覆盖pA至kA，电压覆盖μV至kV。以源表为核心，创新打造了半导体参数分析仪、功率器件静态参数测试系统、功率器件动态参数测试系统等产品，以高效率、高精度、低成本为核心，实现市场应用的集成创新。欲了解更多igbt模块测试igbt静态参数测试机信息，欢迎随时咨询普赛斯仪表！}